渡辺 健 | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

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• 渡辺 健

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• 高柳 万里子

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• 石丸 一成

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• 石内 秀美

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• 石丸 一成

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• 石内 秀美

  (株)東芝

• 飯島 良介

  (株)東芝研究開発センター

• 飯島 良介

  東芝

• 小島 健嗣

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• 小島 健嗣

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 小島 健嗣

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• 森 伸二

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• 佐々木 俊之

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• 宮野 清孝

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• 外園 明

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 大内 和也

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• 清水 敬

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• 森 伸二

  プロセス技術推進センター

• 馬越 俊幸

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• 宮野 清孝

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• 宮野 清孝

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 綱島 祥隆

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• 江口 和弘

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• 綱島 祥隆

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• 関根 克行

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• 関根 克行

  東芝 セミコンダクター社

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 江口 和弘

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• 清水 敬

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• 外園 明

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• 綱島 祥隆

  (株)東芝

• 藤原 実

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 青木 伸俊

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• 諸岡 哲

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• 水野 央之

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• 馬越 俊之

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• 大村 光弘

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• 山田 浩玲

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• 冨田 寛

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• 松下 大介

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• 稲葉 聡

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• 福井 大伸

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• 松浦 孝

  東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設

• 冨田 寛

  (株)東芝セミコンダクター社

• 稲葉 聡

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• 稲葉 聡

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• 藤原 実

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 福井 大伸

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 青木 伸俊

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• 青木 伸俊

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• 松下 大介

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 大村 光弘

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 村岡 浩一

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• 村岡 浩一

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• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 室田 淳一

  東北大学電気通信研究所

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 小山 正人

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• 西山 彰

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• 大黒 達也

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• 百瀬 寿代

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• 渡辺 健

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 櫻庭 政夫

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 室田 淳一

  東北大学

• 室田 淳一

  東北大学 電気通信研究所

• 櫻庭 政夫

  東北大学

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 西山 彰

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• 富田 寛

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• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社:広島大学

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社

• Matsuura T

  Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn

• 諸岡 哲

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 百瀬 寿代

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 小山 正人

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• 大黒 達也

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 百瀬 寿代

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• 渡辺 由美

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• 馬越 俊幸

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• 加藤 善光

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• 金子 明生

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• 犬宮 誠治

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• 佐藤 基之

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• 井野 恒洋

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著作論文

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• 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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• プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• NH_3におよるSi(100)の原子層熱窒化過程
• NH_3によるSi表面の低温熱窒化

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