外園 明 | 株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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概要
関連著者
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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外園 明
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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外園 明
(株)東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター
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大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大内 和也
SoC研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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須藤 裕之
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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清水 敬
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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森 伸二
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小熊 英樹
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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辻井 秀二
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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森 伸二
プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝
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清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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辻井 秀二
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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辻井 秀二
株式会社東芝
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安武 信昭
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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佐々木 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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井谷 孝治
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
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東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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東 篤志
東芝
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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宮田 俊敬
株式会社東芝研究開発センター
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宮田 俊敬
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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諸岡 哲
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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水野 央之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大村 光弘
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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山田 浩玲
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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松下 大介
(株)東芝研究開発センター
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村岡 浩一
(株)東芝研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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渡辺 由美
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝 Ulsi研究所
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村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
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水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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富田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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綱島 祥隆
(株)東芝
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水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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杉崎 絵美子
株式会社東芝研究開発センター
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大島 康礼
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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安達 甘奈
株式会社東芝研究開発センター
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宮野 清孝
株式会社東芝研究開発センター
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稲葉 聡
株式会社東芝研究開発センター
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井谷 孝治
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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大島 康礼
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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井谷 孝治
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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安達 甘奈
株式会社東芝デバイスプロセス開発センター
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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加藤 善光
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊行
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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吉村 尚郎
(株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター
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玉置 直樹
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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松田 聡
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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村越 篤
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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飯沼 俊彦
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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工藤 知靖
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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柴田 英紀
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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谷口 修一
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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Matsushita T.
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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松田 聡
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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張 利
(株)東芝研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
加藤 善光
(株)東芝 Ulsi研究所
-
柴田 英紀
(株)東芝 Ulsi研究所
-
勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社
-
楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
須黒 恭一
(株)東芝
-
木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
張 利
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小池 三夫
(株)東芝
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安武 信昭
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
外園 明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
大黒 達也
株式会社東芝
-
大黒 達也
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
著作論文
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 14nmゲート長CMOS技術
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)