小池 三夫 | 東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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小池 三夫
(株)東芝
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小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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張 利
(株)東芝研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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張 利
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小山 正人
(株)東芝
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鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小澤 良夫
株式会社東芝
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間 博顕
株式会社東芝
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間 博顕
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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富田 充裕
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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福島 伸
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社
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水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
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水島 一郎
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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三谷 祐一郎
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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阿部 和秀
(株)東芝 研究開発センター
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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須黒 恭一
(株)東芝
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齋田 繁彦
(株)東芝 研究開発センター
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神林 茂
(株)東芝 研究開発センター
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小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
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井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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間 博顕
(株)東芝 セミコンダクター社
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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富田 充裕
株式会社東芝研究開発センター
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合瀬 路博
(株)東芝
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本郷 智恵
(株)東芝
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安武 信昭
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小澤 良夫
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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福島 伸
東芝 研開セ
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田中 洋毅
(株)東芝研究開発センター
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外園 明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
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福島 伸
(株)東芝
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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出羽 光明
(株)東芝
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三谷 祐一郎
(株)東芝 研究開発センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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阿部 和秀
東芝・総合研究所
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井野 恒洋
東芝
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Abe Kazuhide
Material And Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation
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Abe Kazuhide
Metals And Ceramics Laboratory Toshiba R&amo;d Center Toshiba Corporation
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Abe Kazuhide
Research And Development Center Toshiba Corporation
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Abe Kazuhide
Materials And Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation
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阿部 和秀
(株)東芝研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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阿部 和秀
(株)東芝
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原 啓良
東芝セミコンダクター社大分工場品質管理部
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水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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田中 洋毅
(株)東芝 研究開発センター
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西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討
- Ba_Sr_TiO_3/SrRuO_3キャパシタの膜微細構造
- 特定箇所2次元キャリア分布計測技術と故障解析への応用