走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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高精度SSRM技術を用いて,最先端デバイスにおけるソース・ドレイン(S/D)エンジニアリングを検討した.Si (110)面及び(100)面上のボロン不純物キャリア分布の比較を行ない,(110)面上ボロンイオン注入により2次元チャネリング効果を初めて確認した.また,Si:C(カーボンドープSi)nMOSFETのS/Dジャンクション分布のC濃度依存性を検証し,Si:Cによる不純物ドーパントの横拡散抑制を初めて観察した.本文では,SSRMのナノプロービング技術としてのポテンシャルを示す.
- 2010-01-22
著者
-
安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
張 利
(株)東芝研究開発センター
-
青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
-
水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社
-
楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
齋藤 真澄
東芝研究開発センター
-
木下 敦寛
東芝研究開発センター
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
張 利
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
小池 三夫
(株)東芝
-
安武 信昭
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
外園 明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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