絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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価電子帯の電子エネルギー損失分光(EELS)ではクラマース-クローニッヒ解析によって光学測定と同様に複素誘電関数や複素屈折率等の誘電特性が得られ、バンド間遷移強度を見積もることも可能となる。透過型電子顕微鏡(TEM)でのEELSは微小領域の光学、誘電特性評価法として期待されるが、従来法のままでは測定やスペクトル処理の段階での誤差が懸念される。我々は主にスペクトル処理に関する改善を行い精度、定量性の向上を進めた。応用例のひとつとしてHfSiO(N)の窒素濃度変化に対応するバンド端での明確な結合状態の変化を観察することができた。これらをもとに絶縁膜の実用的な評価手法としてのTEM-EELSの可能性について議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-02
著者
-
上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
-
富田 充裕
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
-
井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
-
上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
富田 充裕
株式会社東芝研究開発センター
-
小池 三夫
(株)東芝
-
田中 洋毅
(株)東芝研究開発センター
-
小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
井野 恒洋
東芝
-
小山 正人
(株)東芝
-
田中 洋毅
(株)東芝 研究開発センター
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