熱処理雰囲気に依存したLaAlO_3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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High-kゲート絶縁膜LaAlO_3上の様々なメタルの実効仕事関数(Φeff)を系統的に評価し、その振る舞いをHfSiON上のΦeffと比較した。その結果、n-メタルゲート領域のメタル材料におけるフォーミングガスアニール後のLaAlO_3上のΦeffは、HfSiON上とは異なり、SiO_2上の値に近いことが分かった。また、HfSiONの場合に観測される熱処理雰囲気に依存したPtのΦeffの変化はLaAlO_3上では観測されなかった。High-k材料に依存した酸素欠陥生成挙動の違いが、プロセス雰囲気に応じたΦeff不安定性の違いに反映されたものと推測される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-31
著者
-
鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝
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