低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
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概要
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- 2007-07-12
著者
-
斎藤 正樹
ソニー(株)
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
-
青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
-
江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
中崎 靖
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
長谷川 英司
Necエレクトロニクス(株)
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
-
関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
小山 正人
東芝
-
関根 克行
東芝 セミコンダクター社
-
江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
-
渡部 宏治
NECエレクトロニクス(株)
-
江口 和弘
(株)東芝
-
中崎 靖
(株)東芝
-
中崎 靖
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
渡部 宏治
Necエレクトロニクス
-
綱島 祥隆
(株)東芝
-
小山 正人
(株)東芝
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