LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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high-k絶縁膜/Si基板界面における技術的課題である界面準位密度の低減について、我々の最近の研究成果を報告する。具体的にはランタンアルミネート(LAO)/Si基板直接接合界面の界面準位密度を低減する手法として、LAO成膜前のSi基板表面を1原子層Srシリサイド(SrSi_2)でパシベーションする技術を開発したので紹介する。MBE法を用いてLAO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入を行うことによって、界面準位密度を半分以下に低減できることが分かった。また、1原子層SrSi_2挿入によってSi基板とLAO界面に形成される界面の固定電荷を抑制できることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-31
著者
-
鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
-
松下 大介
(株)東芝研究開発センター
-
清水 達雄
(株)東芝研究開発センター
-
山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
松下 大介
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
高島 章
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
西川 幸江
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
富田 充裕
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
福島 伸
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
富田 充裕
株式会社東芝研究開発センター
-
福島 伸
東芝 研開セ
-
吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
-
福島 伸
(株)東芝
-
山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
-
清水 達雄
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
高島 章
東芝
-
小山 正人
(株)東芝
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