Ge MOSデバイスの熱安定性 : Ge oxygen[GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide[GeO(II)]の役割(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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GeO(g)脱ガス温度は、酸化手法に依存せず、Ge酸化膜中のGeO(II)比率が多い程、低下する。GeO(g)脱ガスはH_2O(g)脱ガスを伴うため、Ge(OH)_2がGeO(g)とH_2O(g)にクラッキングすることでGeO(g)が脱ガスすると考えられる。GeO(g)脱ガスの素過程における原料であるGeO(II)は耐酸性を持ち不溶性であるが、高温HCl溶液前処理でエッチング除去でき、GeO(g)脱ガスおよびJ_g劣化が無いhigh-k/Ge MOSデバイス作製の前処理として有効である。Ge酸化物制御、特にGeO(II)の制御が、high-k/Ge MOSデバイスの熱安定性および良好な電気的特性を保つための主要な課題である。
- 2009-06-12
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