ひずみSOI-CMOS素子 : Si格子定数の変調技術を用いた高速SOI素子技術

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概要

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• We present an attractive SOI CMOS technology with a strained-Si channel for high speed ULSIs in decanano regions. The strained-SOI CMOS devices have superior characteristics, because of the combination of the SOI and the strained-Si structures. The electron and the hole mobilities are enhanced by 1.85 and 1.53, compared to those of the conventional Si MOSFETs. We demonstrate the results of high speed CMOS ring oscillators using the strained-SOI devices. We also report the device design for the strained-SOI CMOS and a new strained-SOI CMOS.

• 社団法人 電気学会の論文
• 2004-02-01

著者

• 高木 信一

  東京大学大学院 工学系研究科

• 手塚 勉

  半導体MIRAI-ASET

• 杉山 直治

  半導体MIRAI-ASET

• 杉山 直治

  MIRAI-ASET

• 高木 信一

  MIRAI-産総研ASRC

• 手塚 勉

  MIRAI-ASET

• 水野 智久

  MIRAI-AIST

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 高木 信一

  東大 大学院工学系研究科

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