先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術,AWAD2006)
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概要
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現在、チャネル移動度の向上は、将来の微細先端CMOSにおいて必須の技術であることが認識されている.本論文では、ひずみSi・SiGe・Geを用いた高移動度チャネルCMOSの素子構造とそのキャリア輸送特性に関する、我々の最近の研究結果について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-26
著者
-
高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
東京大学
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
中払 周
半導体MIRAI-ASET
-
入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
-
手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
MIRAI-ASET
-
沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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