微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
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概要
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極薄膜ゲート絶縁膜をもつ微細MOSFETでは、Mos反転層容量と有限の値のSiバンドベンディングの影響の結果、低電圧での動作が極めて難しくなる。この問題を克服するためにはチャネルの高移動度化が有効な手段となる。Siテクノロジーにマッチする高移動度チャネルとして、提案しているひずみSOI(Si-on-Insulator)及びひずみSGOI(SiGe-on-Insulator)MOSFETのデバイス構造・利点・電気特性などを、ひずみSOI素子実現のキーとなる基板作成技術とともに紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-16
著者
-
高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
-
守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
-
手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
MIRAI-ASET
-
水野 智久
MIRAI-AIST
-
沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
-
水野 智久
半導体MIRAIプロジェクト
-
古賀 淳二
半導体MIRAI-ASET
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
古賀 淳二
東芝
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