III-V CMOSフォトニクスを用いた光電子融合集積回路プラットホーム技術(光エレクトロニクス)
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概要
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我々は,ウェハボンディングにより作製したIII-V-on-insulator (III-V-OI)ウェハを用いて,III-V族半導体版Siフォトニクスに相当するIII-V CMOSフォトニクスプラットホーム技術の研究を進めている.電子物性,光物性ともにSiよりも優れたIII-V族半導体を用いることで,究極的に高性能・省電力な光電子融合集積回路を実現することが期待される.我々はこれまでに,III-V-OIウェハを用いた小型ベンド導波路やアレイ導波路グレーティング,グレーティングカプラなどのパッシブ素子に加えて,光スイッチや受光器などのアクティブ素子を実証してきた.またIII-V-OIウェハ上にInGaAs MOSトランジスタを作製することにも成功している.本論文では,これまでの我々の研究成果について紹介する.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-03-01
著者
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
一宮 佑希
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
金 相賢
東京大学大学院工学系研究科
-
竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
-
程 勇鵬
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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