SiMOS反転層モビリティにおけるクーロン散乱および表面ラフネス散乱の電子濃度依存性
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概要
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SiMOS反転層モビリティにおけるクーロン散乱および表面ラフネス散乱の電子濃度依存性を実験的に検討し、その物理的な起源について考察した。クーロン散乱では、界面チャージと基板不純物でスクリーニング効果が異なることを、実験的に明らかにした。表面ラフネス散乱では、ラフネス相関長がnmオーダーの領域で、モビリティの実効垂直電界依存性が従来よりも弱くなることを初めて観測し、電子濃度依存性の観点で説明できることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-24
著者
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
古賀 淳二
東芝
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