0.7nmの極薄膜SOIトランジスタ技術 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
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概要
著者
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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古賀 淳二
東芝
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