シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
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概要
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単一電子素子の高温動作には、数nmから数十nmの微細加工技術が必須であり、微細加工技術がこのレベルまで進歩した時にはじめて単一電子現象を利用したデバイスが実現できると考えられている。今回我々は、極薄膜SOI表面に薬品処理を施すことで、数十nm周期のアンジュレーション(起伏)を導入し、サブミクロンデバイスにおいて80Kでクーロン振動、300Kでメモリ効果を観測することに成功した。これらの結果は単一電子現象などの少数電子起因の物理現象も、プロセス技術を工夫することで、サブミクロンデバイスの機能として組み込み可能であることを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
大場 竜二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
大場 竜二
東芝研究開発センター
-
内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
古賀 淳二
東芝
-
大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
-
大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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