高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望(ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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45nm世代を迎え、種々の微細化限界により、CMOS性能の飽和が顕在化している。このため、チャネルの電流駆動力向上やマルチゲートによる短チャネル効果抑制などの様々なチャネルエンジニアリングが、今後のCMOS特性の向上と等価的スケーリングには必須の技術と考えられている。本講演では、以上の観点から、ひずみSiやGeチャネル、III-Vチャネルを用いたMOSFETの現状・課題・将来像を紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-02
著者
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