ストレスリーク電流における非弾性トンネリングの実験的検証
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概要
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ストレスリーク電流は, Flashメモリのトンネル酸化膜やゲート酸化膜の長期信頼性を低下させる要因として重大であり, その伝導機構の解明は極めて重要である。リーク電流の伝導機構として, これまでいくつかのモデルが提案されたものの, まだ十分明らかにされていない。これまで提案されたモデルの多くは, 酸化膜中で電子が弾性的にトンネルする事を前提としているが, このことは実験的に確認されていない。そこで本研究ては, トンネルする電子のエネルギーに着目し, ストレスリークを引き起こす電子のトンネル後のエネルギーを直接実験的に求める方法を提案する。その実験結果から, 新たな伝導モデルを提案すると共に, このモデルに基づいてリーク電流のI-V特性を計算し, 実験結果との比較を行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
高木 信一
東芝ULSI研究所
-
安田 直樹
東芝ULSI研究所
-
鳥海 明
東芝ULSI研究所
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
高木 信一
東芝ulsi研
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