高木 信一 | 東京大学大学院 工学系研究科
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概要
関連著者
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
MIRAI-ASET
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高木 信一
東京大学
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手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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水野 智久
MIRAI-AIST
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
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中払 周
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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古賀 淳二
東芝
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
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守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
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手塚 勉
MIRAI-ASET
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竹中 充
東京大学電気系工学専攻
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入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
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沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科
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中払 周
MIRAI-ASET
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鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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杉山 正和
東大 大学院
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杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
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前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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守山 佳彦
MIRAI-ASET
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豊田 英二
東芝セラミックス株式会社
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水野 智久
半導体MIRAIプロジェクト
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古賀 淳二
半導体MIRAI-ASET
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前田 辰郎
産業技術総合研究所
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
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竹中 充
東京大学
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高木 信一
東京大学大学院工学系研究科
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山本 豊二
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
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古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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横山 正史
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
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横山 正史
東京大学
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高木 信一
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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山本 豊二
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センター
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横山 正史
東京大学電気系工学専攻
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田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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山下 良美
Mirai-aset
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高木 信一
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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平下 紀夫
MIRAI-ASET
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沼田 敏典
MIRAI-ASET
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宮村 佳児
コマツ電子金属
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前田 辰郎
MIRAI-AIST
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内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
東芝研究開発センター
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内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
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高木 信一
東京大学、工学系研究科
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大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
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大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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一宮 佑希
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
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渡辺 浩志
株式会社東芝LSI基板技術ラボラトリー
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野口 充宏
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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谷本 弘吉
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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山下 良美
半導体MIRAI-ASET
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原田 真臣
半導体MIRAI-ASET
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原田 正臣
MIRAI-ASET
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木曽 修
MIRAI-産総研ASRC
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入沢 寿史
MIRAI-ASET
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臼田 宏治
MIRAI-ASET
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水野 智久
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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杉山 直治
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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手塚 勉
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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黒部 篤
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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畠山 哲夫
個別半導体基盤技術ラボラトリー
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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黒部 篤
東芝 研開セ
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大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
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谷本 弘吉
東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ
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松沢 一也
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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谷本 弘吉
東芝セミコンダクター社
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渡辺 浩志
(株)東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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高木 信一
東大 大学院新領域創成科学研究科
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野口 充宏
(株)東芝 セミコンダクター社
-
高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
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金 相賢
東京大学大学院工学系研究科
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
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佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
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木曽 修
半導体MIRAI-産総研ASRC
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高木 信一
東大院工
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池田 圭司
MIRAI-ASET
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鈴木 邦広
MIRAI-ASET
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田岡 紀之
MIRAI-産総研ASRC
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西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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高木 信一
Toshiba Ceramics
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古賀 淳二
MIRAI-ASET
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田邊 顕人
MIRAI-ASET
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沼田 典則
半導体MIRAIプロジェクト
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畠山 哲夫
(株)東芝 研究開発センター 個別半導体基盤技術ラボラトリー
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Usuda Koji
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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高木 信一
東芝ULSI研究所
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安田 直樹
東芝ULSI研究所
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鳥海 明
東芝ULSI研究所
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
東芝ulsi研
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西澤 正泰
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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竹中 充
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
森田 行則
半導体mirai産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
キム サンヒョン
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
田岡 紀之
東京大学大学院工学系研究科
-
鈴木 麗菜
東京大学大学院工学系研究科
-
張 睿
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
-
林 汝静
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
-
黄 博勤
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
-
キムサン ヒョン
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
程 勇鵬
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
著作論文
- Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS (特集 エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術--2020年を見据えて)
- 界面制御層を用いた高性能Ge MOSトランジスタ
- SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
- Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響
- GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証
- Ge窒化膜を界面層とするHfO_2/Ge MIS構造の特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 高移動度チャネルを有するひずみ Si-on-insulator/ ひずみ SiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術,AWAD2006)
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET
- シリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板構造の歪局ひずみ評価
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
- ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SiGe on Insulator構造形成技術(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- ひずみSOI-CMOS素子 : Si格子定数の変調技術を用いた高速SOI素子技術
- ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 高性能ひずみSOI-CMOS素子技術 : キャリア移動度劣化機構と素子設計
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- 量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
- 招待論文 : 「ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性」
- ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性
- ひずみの導入により高移動度化した新構造SOI-MOSFET
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
- サブバンド構造変調を利用した高性能超薄膜SOI-MOSFET (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
- SiMOS反転層モビリティにおけるクーロン散乱および表面ラフネス散乱の電子濃度依存性
- シリコン酸化膜の絶縁破壊に対する電子と正孔の共存の必要性実証
- ストレスリーク電流における非弾性トンネリングの実験的検証
- 1.Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーション
- 濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーション
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望(ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィングがゲートからのトンネル電流に与える影響
- ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィングがゲートからのトンネル電流に与える影響
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- ポストスケーリング時代のCMOSデバイス技術
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
- 微細CMOS技術におけるチャネルエンジニアリングの重要性とひずみSOI MOSFETのインパクト
- 微細CMOS技術におけるチャネルエンジニアリングの重要性とひずみSOI MOSFETのインパクト
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
- 新チャネル材料を使った高電流駆動力CMOSデバイス技術
- 1-4 高移動度チャネルトランジスタ技術の最新動向(1.CMOS技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- C-4-18 高性能光電子集積回路に向けたIII-V CMOSフォトニクスプラットフォーム技術(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InGaAs MOSゲートスタック形成と界面特性
- Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析と原子層平坦GeO_x/Ge界面による移動度の向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- C-3-16 III-V CMOSフォトニクスプラットフォームと光インターコネクションへの展開(C-3.光エレクトロニクス)
- 高移動度チャネルトランジスタ技術の最新動向
- III-V CMOSフォトニクスを用いた光電子融合集積回路プラットホーム技術(光エレクトロニクス)