高柳 万里子 | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

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• 高柳 万里子

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• 渡辺 健

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

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• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

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• 石丸 一成

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• 藤原 実

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 高柳 万里子

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• 安達 甘奈

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• 飯島 良介

  東芝

• 藤原 実

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• 清水 敬

  プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 飯島 良介

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• 関根 克行

  東芝 セミコンダクター社

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 豊島 義明

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• 小島 健嗣

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 須藤 裕之

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 大内 和也

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• 外園 明

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 清水 敬

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• 森 伸二

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• 小熊 英樹

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 松下 大介

  (株)東芝研究開発センター

• 村岡 浩一

  (株)東芝研究開発センター

• 外園 明

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 福井 大伸

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 吉村 尚郎

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 大内 和也

  SoC研究開発センター

• 森 伸二

  プロセス技術推進センター

• 馬越 俊幸

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 松下 大介

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 村岡 浩一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 濱田 基嗣

  東芝セミコンダクター社

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 関根 克行

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 大黒 達也

  (株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター

• 百瀬 寿代

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• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 安武 信昭

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 佐々木 俊之

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 吉村 尚郎

  (株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター

• 福井 大伸

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 安武 信昭

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 中山 武雄

  東芝セミコンダクター社システムlsi事業部

• 宮野 清孝

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 宮下 桂

  東芝

• 青木 伸俊

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 諸岡 哲

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 水野 央之

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 馬越 俊之

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 大村 光弘

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 山田 浩玲

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 冨田 寛

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 渡辺 由美

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 馬越 俊幸

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 榎本 忠儀

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー

• 谷本 弘吉

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 冨田 寛

  (株)東芝セミコンダクター社

• 前川 繁登

  三菱電機株式会社LSI研究所

• 前川 繁登

  ルネサステクノロジ

• 前川 繁登

  ルネサス

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 山口 豪

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 永野 剛之

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 藤原 実

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 清水 敬

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 百瀬 寿代

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 中村 新一

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 宮下 桂

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所

• 中山 武雄

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 入江 直彦

  日立製作所中央研究所

• 高木 信一

  東京大学大学院 工学系研究科

• 高木 信一

  東京大学大学院工学系研究科

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 清水 敬

  東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝soc開発センター

• 大村 光弘

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 馬越 俊幸

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 佐藤 成生

  富士通研究所

• 関根 克行

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 高柳 万里子

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 中崎 靖

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センター

• 入江 直彦

  (株)日立製作所中央研究所

• 西山 彰

  (株)東芝研究開発センター

• 長谷 卓

  日本電気システムデバイス研究所

• 由上 二郎

  ルネサステクノロジ生産本部

• 西山 彰

  東芝研究開発センター

• 中村 新一

  (株)東芝

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 佐藤 成生

  富士通研究所先端cmos開発部

• 谷本 弘吉

  東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ

• 松沢 一也

  東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 高木 信一

  東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 谷本 弘吉

  東芝セミコンダクター社

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 大塚 文雄

  SELETE

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学研究所

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部 情報工学科

• 犬宮 誠治

  東芝

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 加藤 善光

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 佐々木 俊行

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 玉置 直樹

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 松田 聡

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 村越 篤

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 井谷 孝治

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 飯沼 俊彦

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 工藤 知靖

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 柴田 英紀

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 谷口 修一

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• Matsushita T.

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 東 篤志

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 親松 尚人

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 須黒 恭一

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• 勝又 康弘

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• 松田 聡

  (株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 上牟田 雄一

  半導体MIRAI-ASET

• 山崎 博之

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• 松下 貴哉

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 東 篤志

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 宮下 桂

  (旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部

• 吉村 尚郎

  (旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部

• 中山 武雄

  (旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部

• 谷口 修一

  株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 飯沼 俊彦

  株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 東 篤志

  東芝セミコンダクター社

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

• 加藤 善光

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 柴田 英紀

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 勝又 康弘

  東芝セミコンダクター社

• 福島 伸

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 犬宮 誠治

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

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• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

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  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝先端半導体デバイス研究所

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• 佐久間 究

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• 佐久間 究

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• 須黒 恭一

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• 佐藤 基之

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• 上牟田 雄一

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• 長友 浩二

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  株式会社東芝セミコンダクター社

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  株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 福島 伸

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著作論文

• hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
• 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
• 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 低消費電力LSI用HfSiON-CMOSFET実用化技術(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
• ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD-2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
• ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
• プラズマ窒化プロセスを用いた極薄ゲート絶縁膜形成における反応メカニズムの考察とさらなる薄膜化の検討
• 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
• hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
• 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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• HfSiONゲート絶縁膜のヒステリシスに寄与するトラップの解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfSiONゲート絶縁膜CMOSの性能と信頼性におけるHf濃度の影響
• HfSiON-CMOSFETの高性能・高信頼性に向けたHf濃度の指針(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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• プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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• 濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーション
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• 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
• 低消費電力LSI用HfSiON-CMOSFET実用化技術(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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• HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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