豊島 義明 | 東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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概要
関連著者
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社
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永野 剛之
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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永野 剛之
東芝セミコンダクター社
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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後藤 正和
徳島大学外科
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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藤原 実
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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清水 敬
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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百瀬 寿代
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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中村 新一
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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清水 敬
東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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辰村 光介
東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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中村 新一
(株)東芝
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犬宮 誠治
東芝
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
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百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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蓮見 良治
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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松岡 史倫
東芝
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西郡 正人
東芝セミコンダクター社システムLSI開発センター
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親松 尚人
東芝セミコンダクター社システムLSI開発センター
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川崎 敦子
東芝セミコンダクター社
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター
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佐俣 秀一
東芝セミコンダクター社
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石川 哲也
東芝セミコンダクター社
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木村 智久
東芝セミコンダクター社
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吉富 崇
東芝セミコンダクター社
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西郡 正人
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
著作論文
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
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- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- エピタキシャルチャネルMOSFETによるアナログ特性の改善
- 高抵抗基板上に形成された高性能アナログ、デジタル混載デバイス