木下 敦寛 | 東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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後藤 正和
徳島大学外科
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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張 利
(株)東芝研究開発センター
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古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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齋藤 真澄
東芝研究開発センター
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内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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犬宮 誠治
東芝
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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張 利
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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木下 敦寛
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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八木下 淳史
東芝セミコンダクター社
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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窪田 壮男
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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辰村 光介
東芝研究開発センター
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金子 明生
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
窪田 壮男
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
大村 光広
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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岡野 王俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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川崎 博久
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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泉田 貴士
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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稲葉 聡
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石丸 一成
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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江口 和弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松沢 一也
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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川崎 博久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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土屋 義則
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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木下 敦寛
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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原 啓良
東芝セミコンダクター社大分工場品質管理部
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社
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金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
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木下 敦寛
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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古賀 淳二
東芝 研究開発センター
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石原 貴光
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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犬宮 誠治
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
-
中嶋 一明
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
-
金子 明生
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
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木下 敦寛
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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石原 貴光
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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小池 三夫
(株)東芝
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安武 信昭
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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外園 明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
-
金村 貴永
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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木下 敦寛
東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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橋本 庸幸
東芝セミコンダクター社大分工場品質管理部
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早瀬 洋平
東芝セミコンダクター社大分工場品質管理部
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栗原 美智男
東芝セミコンダクター社大分工場品質管理部
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萩島 大輔
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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石川 貴之
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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小山 正人
(株)東芝
-
西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
- LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高精度拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたSRAM不良ビットの直接観察及びメカニズム解明 (シリコン材料・デバイス)
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 不純物偏析ショットキー接合を用いた高駆動電流トランジスタの開発
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析ショットキー接合トランジスタ
- 不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高精度拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたSRAM不良ビットの直接観察及びメカニズム解明(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))