川崎 博久 | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

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概要

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関連著者

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 金子 明生

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 八木下 淳史

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 金村 貴永

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 須黒 恭一

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 金村 貴永

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝soc開発センター

• 金子 明生

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 川崎 博久

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 金村 貴永

  半導体研究開発センター:株式会社東芝

• 窪田 壮男

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 須黒 恭一

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 近藤 正樹

  (株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター

• 伊藤 早苗

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 伊藤 早苗

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 八木下 淳史

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝

• 江口 和弘

  (株)東芝

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 綱島 祥隆

  (株)東芝

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 松尾 浩司

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 松下 貴哉

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 佐々木 貴彦

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大塚 伸朗

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大村 光弘

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 佐々木 貴彦

  株式会社東芝

• 水島 一郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 遠田 利之

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 金村 貴永

  半導体研究開発センター

• 泉田 貴士

  半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  半導体研究開発センター

• 近藤 正樹

  半導体研究開発センター

• 伊藤 早苗

  半導体研究開発センター

• 遠田 利之

  半導体研究開発センター

• 岡野 王俊

  半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  半導体研究開発センター

• 八木下 淳史

  プロセス技術推進センター

• 金子 明生

  プロセス技術推進センター

• 稲葉 聡

  半導体研究開発センター

• 中村 光利

  半導体研究開発センター

• 石丸 一成

  半導体研究開発センター

• 須黒 恭一

  プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  プロセス技術推進センター

• 石内 秀美

  半導体研究開発センター

• 伊藤 早苗

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 小野 高稔

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 岩出 健次

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 窪田 壮男

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 中村 光利

  半導体研究開発センター:株式会社東芝

• 金子 明生

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 八木下 淳史

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 窪田 壮男

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 大村 光広

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 松尾 浩司

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 岡野 王俊

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 泉田 貴士

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 稲葉 聡

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石丸 一成

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 豊島 義明

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 江口 和弘

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 川崎 博久

  東芝アメリカ電子部品社

• 八木下 淳史

  東芝アメリカ電子部品社

• 石丸 一成

  東芝アメリカ電子部品社

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 大塚 伸朗

  (株)東芝 Soc研究開発センター

• 青木 伸俊

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ

• 大塚 伸朗

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 金村 貴永

  東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 水島 一郎

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 岡山 康則

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 笠井 邦弘

  (株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センター

• 木下 敦寛

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センター

• 神田 昌彦

  (株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 深浦 康弘

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 磯辺 和亜樹

  (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 野原 晴男

  (株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部

• 門馬 好広

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス

• 岡山 康則

  東芝セミコンダクタ一社

• 木下 敦寛

  東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー

• 笠井 邦弘

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 神田 昌彦

  (株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部

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著作論文

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• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 32nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• CT-1-3 22nm世代に向けたFinFET SRAM技術(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
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• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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• 90nm世代におけるSoC向け高集積混載SRAM技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)

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