近藤 正樹 | (株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター

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著作論文

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• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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