稲葉 聡 | (株)東芝セミコンダクター社
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概要
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稲葉 聡
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稲葉 聡
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須黒 恭一
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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株式会社東芝
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(株)東芝 セミコンダクター社
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川崎 博久
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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金村 貴永
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綱島 祥隆
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江口 和弘
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江口 和弘
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(株)東芝
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プロセス技術推進センター
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清水 敬
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(株)東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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諸岡 哲
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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水野 央之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大村 光弘
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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平本 俊郎
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川澄 篤
東芝セミコンダクター社
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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伊藤 早苗
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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山岡 雅直
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
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水島 一郎
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株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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伊藤 早苗
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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岩出 健次
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窪田 壮男
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矢橋 勝典
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野田 研二
NSCore
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三本杉 安弘
富士通研究所
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竹内 潔
日本電気システムデバイス研究所
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川崎 博久
東芝アメリカ電子部品社
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八木下 淳史
東芝アメリカ電子部品社
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石丸 一成
東芝アメリカ電子部品社
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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稲葉 聡
MIRAI-Selete
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富田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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金村 貴永
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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石田 達也
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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川澄 篤
東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター先端ワイヤレス・アナログ技術開発部
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山岡 雅直
日立製作所 中央研究所
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渡辺 由美
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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松田 聡
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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村越 篤
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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井谷 孝治
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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飯沼 俊彦
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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工藤 知靖
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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柴田 英紀
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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谷口 修一
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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Matsushita T.
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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松田 聡
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
東 篤志
東芝セミコンダクター社
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柴田 英紀
(株)東芝 Ulsi研究所
-
馬越 俊幸
(株)東芝 Ulsi研究所
-
勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
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東 篤志
東芝
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
著作論文
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 32nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CT-1-3 22nm世代に向けたFinFET SRAM技術(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 2.最先端FinFETプロセス・集積化技術(32nm世代VLSIを担うMore Moore技術-三次元ゲートMOSFET-)