山岡 雅直 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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山岡 雅直
日立製作所 中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
株式会社日立製作所中央研究所
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長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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長田 健一
株式会社日立製作所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部
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長田 健一
株式会社日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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土屋 龍太
株式会社日立製作所中央研究所
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堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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道関 隆国
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
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野村 昌弘
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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竹内 潔
MIRAI-Selete
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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島崎 靖久
(株)ルネサステクノロジ
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有本 和民
ルネサステクノロジ
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榎本 忠儀
中央大学理工学部
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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川澄 篤
株式会社東芝
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川澄 篤
東芝セミコンダクター社
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前川 繁登
三菱電機株式会社LSI研究所
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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一法師 隆志
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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一法師 隆志
ルネサステクノロジ
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前川 繁登
ルネサステクノロジ
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前川 繁登
ルネサス
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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大林 茂樹
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
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伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
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入江 直彦
日立製作所中央研究所
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柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
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三本杉 安弘
(株)富士通研究所
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道関 隆国
Ntt マイクロシステムインテグレーション研
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大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
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前田 徳章
株式会社ルネサステクノロジ
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篠崎 義弘
株式会社日立超LSIシステムズ
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島田 茂
株式会社ルネサステクノロジ
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柳沢 一正
株式会社ルネサステクノロジ
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濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社
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永久 克己
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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宮崎 裕行
(株)日立製作所 中央研究所
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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野田 研二
NSCore
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三本杉 安弘
富士通研究所
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竹内 潔
日本電気システムデバイス研究所
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入江 直彦
(株)日立製作所中央研究所
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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大塚 文雄
SELETE
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堀内 勝忠
株式会社日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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榎本 忠儀
中央大学理工学研究所
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榎本 忠儀
中央大学理工学部 情報工学科
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石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
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稲葉 聡
MIRAI-Selete
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井田 次郎
沖電気工業株式会社
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加藤 圭
Renesas Technology Corp.
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濱田 基嗣
東芝 Soc研究開発セ
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濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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道関 隆国
Ntt
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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吉見 信
SOITEC Asia
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三木 和彦
東芝
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井田 次郎
沖電気研究本部デバイス研究開発部
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野村 昌弘
Nec
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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井田 次郎
沖電気
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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高柳 万里子
東芝
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入江 直彦
日立製作所 中央研究所
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川澄 篤
東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター先端ワイヤレス・アナログ技術開発部
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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榎本 忠儀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
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日高 秀人
ルネサステクノロジ・マイコン事業部
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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杉林 直彦
日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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日高 秀人
ルネサステクノロジー株式会社マイコン統括本部
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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宮野 信冶
東芝・セミコンダクター社・半導体研究開発センター
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秋山 悟
日立製作所・中央研究所
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川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部
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尾坂 匡隆
パナソニック・戦略半導体開発センター
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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森田 祐介
日立製作所中央研究所
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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山口 慎一郎
日立情報通信エンジニアリング株式会社
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秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
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島崎 靖久
株式会社ルネサステクノロジ
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川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社システムマイクロ事業部
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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森田 祐介
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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前田 徳章
スーパーエイチジャパン株式会社
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島崎 靖久
スーパーエイチジャパン株式会社
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加藤 圭
株式会社ルネサステクノロジ
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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山岡 雅直
株式会社 日立製作所 中央研究所
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
榎本 忠儀
中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
-
KATO Kei
Renesas Technology Corp.
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杉井 信之
(株)日立製作所 中央研究所
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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長田 健一
(株)日立製作所 中央研究所
-
松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- 低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?(メモリ技術)
- 2.SRAMにおける素子ばらつきの影響と対策(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
- C-12-42 基板電圧制御によるインバータ特性の検討(C-12. 集積回路ABC(測定・評価),一般セッション)
- 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題
- SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 携帯電話向けアプリケーションプロセッサに最適なスタンバイ電流性能25μA/MbitのオンチップSRAM(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- サブ50nm時代の切り札SOI : SOIがBulkに勝てる技術はこれだ!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- サブ50nm時代の切り札SOI : SOIがBulkに勝てる技術はこれだ!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- トランジスタのプロセスばらつきを考慮した低電力SRAM設計の研究(研究会推薦博士論文速報)
- バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術(新メモリ技術とシステムLSI)