長田 健一 | (株)日立製作所 中央研究所
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概要
関連著者
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長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
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長田 健一
(株)日立製作所 中央研究所
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長田 健一
株式会社日立製作所
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北井 直樹
(株)日立超LSIシステムズ
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河原 尊之
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日立製作所中央研究所
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(株)日立製作所中央研究所
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(株)日立製作所中央研究所
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(株)日立製作所 中央研究所
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日立製作所中央研究所
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斉藤 良和
(株)ルネサステクノロジ
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黒土 健三
(株)日立製作所 中央研究所
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守谷 浩志
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蒲原 史朗
ルネサステクノロジ
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蒲原 史朗
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(株)日立製作所中央研究所
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藤岡 美緒
(株)ルネサステクノロジ
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森田 貞幸
(株)ルネサステクノロジ
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松井 裕一
(株)日立製作所 中央研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
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塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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大林 茂樹
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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外村 修
(株)日立製作所 中央研究所
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藤崎 芳久
(株)日立製作所中央研究所
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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山本 直樹
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部
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山口 憲
(株)日立製作所中央研究所
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寺尾 元康
(株)日立製作所 中央研究所
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松岡 正道
(株)ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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小柳 光正
東北大学未来科学技術共同研究センター
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福島 誉史
東北大学未来科学技術共同研究センター
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李 康旭
東北大学未来科学技術共同研究センター
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永久 克己
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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宮崎 裕行
(株)日立製作所 中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
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Kobayashi M
Department Of Bioengineering And Robotics Tohoku University
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朴澤 一幸
(株)日立製作所中央研究所ULSI研究部
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
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河江 達也
九州大工
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山本 直樹
高知工科大学 総合研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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花岡 裕子
(株)日立製作所
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
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古田 太
(株)日立製作所基礎研究所
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Takeda Kazuyuki
Department Of Chemistry Graduate School Of Science Kyoto University:(present Address)division Of Adv
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藤崎 芳久
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(株)日立製作所 ストレージテクノロジー研究センター
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Takeda Ken-ichi
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
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武田 健一
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青木 真由
(株)日立製作所中央研究所
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花岡 裕子
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(株)日立製作所中央研究所
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朴澤 一幸
(株)日立製作所中央研究所
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河江 連也
九大工
著作論文
- SRAMの宇宙線中性子によるマルチエラー解析及びマルチエラー低減技術
- 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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- C-12-24 低電力 SRAM への階層型 ECC 回路導入に関する検討
- 3次元システムLSI開発のためのチップレベルTSVプロセス(次世代電子機器を支える三次元積層技術と先端実装の設計・評価技術論文)