1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
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概要
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世界最小電流でリセット可能な相変化素子を用いたメモリセルのリセット/セット/リードの各動作を検証して、三つの相変化RAM回路技術を考案した。第一の三電源ワード線制御方式は、ビット線の電圧制御だけでは不十分だったセット動作マージンを拡大する. 第二のリード・アクセス低減方式は、リード動作におけるディスターブを緩和し、記憶保持時間を従来比500倍まで向上する. 第三のソース線制御方式は、駆動能力の維持とリーク電流の抑制を両立させながら選択トランジスタの縮小を可能とし、メモリセル面積を従来比18%減の19F^2まで抑制する. これらの三つの回路技術により、世界初の1.5Vでリセット/セット/リード動作する相変化RAMを実現できる見通しを得た. 本相変化RAMは、追加マスク枚数が少なく、標準CMOSトランジスタでメモリモジュールを形成できるため、次世代オンチップRAMに最適である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-19
著者
-
竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
黒土 健三
日立製作所中央研究所
-
半澤 悟
日立製作所中央研究所
-
守谷 浩志
日立製作所機械研究所
-
高浦 則克
日立製作所中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
-
北井 直樹
(株)日立超LSIシステムズ
-
松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
-
高浦 則克
(株)日立製作所中央研究所
-
茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
-
黒土 健三
(株)日立製作所 中央研究所
-
守谷 浩志
(株)日立製作所 機械研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所
-
松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所 中央研究所
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