737 第一原理計算による SiON ゲート絶縁膜を用いた MOS トランジスタにおけるリーク電流のひずみ依存性解析
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概要
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- 社団法人日本機械学会の論文
- 2003-09-23
著者
-
岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
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守谷 浩志
日立製作所機械研究所
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岩崎 富生
日立機械研
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岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
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守谷 浩志
日立機械研
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鐘ヶ江 義晴
日立機械研
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岩崎 富生
(株)日立製作所
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