1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 映像情報メディア学会の論文
- 2006-01-26
著者
-
竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
黒土 健三
日立製作所中央研究所
-
半澤 悟
日立製作所中央研究所
-
守谷 浩志
日立製作所機械研究所
-
高浦 則克
日立製作所中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
-
北井 直樹
(株)日立超LSIシステムズ
-
松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
-
高浦 則克
(株)日立製作所中央研究所
-
茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
-
黒土 健三
(株)日立製作所 中央研究所
-
守谷 浩志
(株)日立製作所 機械研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所
-
松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所 中央研究所
関連論文
- 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
- 新メモリとSOC、今何をすべきか? : 混載メモリの課題と展望(新メモリ技術とシステムLSI)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
- 招待講演 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM) (シリコン材料・デバイス)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術)
- Nd2Fe14B永久磁石の磁気異方性
- 第一原理計算ソフトウェアWIEN2kによる磁気特性研究の手引き
- C-12-42 基板電圧制御によるインバータ特性の検討(C-12. 集積回路ABC(測定・評価),一般セッション)
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- SRAMの宇宙線中性子によるマルチエラー解析及びマルチエラー低減技術
- 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- サブ1V DRAM設計技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 温度変化によるLSI性能ばらつきを低減するTISロック回路(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
- 2Mビットのスピン注入方式不揮発性RAMを試作
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題
- MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
- MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- 405 材料の機械特性のマルチスケールシミュレーション(計算力学と数値シミュレーション)
- MOSトランジスタのゲートリーク電流特性に対するひずみ効果の第一原理解析(オーガナイズドセッション,計算力学とその応用)
- 737 第一原理計算による SiON ゲート絶縁膜を用いた MOS トランジスタにおけるリーク電流のひずみ依存性解析
- (5)分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
- 分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
- シリコン結晶のラマン振動数に対する応力効果の分子動力学解析
- 低電力RISCプロセッサ向け2-portキャッシュメモリ
- ビット線分離型メモリ階層方式とドミノ型タグ比較器を用いた1V 100MHz 10mWオンチップキャッシュ
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 温度変化によるLSI性能ばらつきを低減するTISロック回路(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 誘導結合を用いたプロセッサと複数メモリの三次元集積技術(システム設計と最適化II,システム設計及び一般)
- CT-1-2 相変化メモリ、磁性体メモリ最新動向(CT-1.エマージングメモリと3次元集積メモリ,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 携帯電話向けアプリケーションプロセッサに最適なスタンバイ電流性能25μA/MbitのオンチップSRAM(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 誘導結合通信を用いた低消費電力・高性能三次元プロセッサの開発 : 90nm CMOSマルチコアプロセッサと65nm CMOS SRAMの三次元システム集積(若手研究会)
- 2.5V電源フラッシュメモリにおける高精度基準電圧発生回路
- ビット線クランプ方式によるフラッシュメモリ高速読出し動作の検討
- フラッシュメモリにおける高効率高電圧並びに高精度基準電圧発生回路
- フラッシュメモリにおけるウェルデコード消去方式の検討
- フラッシュメモリにおける可変ワード線電圧を用いた高信頼化書込み技術
- 112 分子動力学法による炭素膜の摩耗特性解析
- 遺伝的アルゴリズムによるTersoff原子間ポテンシャルのパラメータ最適化
- 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低電力SRAMの技術動向(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
- 低電力SRAMへのECC回路導入に関する検討
- C-12-24 低電力 SRAM への階層型 ECC 回路導入に関する検討
- 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析
- SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 高速、低消費電力マイクロプロセッサ技術
- 高速、低消費電力マイクロプロセッサ技術
- 超低電力システムLSI向け0.1V-CMOS集積回路 : 低電力回路技術の課題と対策
- 超低電力システムLSI向け0.1V-CMOS集積回路 : 低電力回路技術の課題と対策
- 0.65-2V動作のシステムLSI用キャッシュメモリ (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
- チップマルチプロセッサ向け自律分散型低電力システム : クロック周波数,電源電圧,基板バイアスの最適制御技術(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 招待講演 スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 (集積回路)
- 16.7fA/cell Tunnel-Leakage-Suppressed 16Mb SRAM for Handling Cosmic-Ray-Induced Multi-Errors(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 高対称型メモリセルおよびアレイ微昇圧方式を用いた0.4V動作SRAM
- 高対称型メモリセルおよびアレイ微昇圧方式を用いた0.4V動作SRAM
- 0.65〜2.0V動作のシステムLSI用キャッシュメモリの開発 (特集1 低消費電力化進む半導体デバイス)
- 半導体メモリ
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
- 誘導結合を用いたプロセッサと複数メモリの三次元集積技術
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (集積回路)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (シリコン材料・デバイス)
- スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ホモジニアス・タイル構造3次元FPGAの性能評価(3D-I,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 依頼講演 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計 (集積回路)
- 3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元積層を可能にする Poly-Si トランジスタ駆動の相変化メモリ
- 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 3次元システムLSI開発のためのチップレベルTSVプロセス(次世代電子機器を支える三次元積層技術と先端実装の設計・評価技術論文)