フラッシュメモリにおける可変ワード線電圧を用いた高信頼化書込み技術
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概要
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本研究では、256Mビット以降の大容量フラッシュメモリにおいて、経時絶縁破壊電荷量を向上するための電子放出方式として、可変ワード線電圧方式を電子放出特性のシュミレーションにより検討した。その結果、電子放出時の最大トンネル電流密度を1.4桁低減できることを明らかにした。それにより、経時絶縁破壊電荷量は約3倍の向上が期待される。
- 1995-11-22
著者
-
河原 尊之
日立製作所・中央研究所
-
宮本 直樹
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
佐伯 俊一
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
-
加藤 正高
日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
加藤 正高
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
-
木村 勝高
日立製作所中央研究所
-
城野 雄介
(株)日立製作所半導体事業部
-
城野 雄介
日立製作所 半導体事業部
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