フラッシュメモリ信頼性におけるフローティングゲート形状の影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本研究では、低電力動作可能で大容量、高信頼なコンタクトレス型フラッシュメモリを実現するための、メモリセルのフローティングゲート形状を明らかにした。コンタクトレスアレイ方式ではフローティングゲート端部にバーズビークが侵入するため、書き換え耐性やディスターブ耐性が低下する。フローティングゲートを窒化膜で覆い、バーズビークの侵入を抑えることにより、上記耐性の低下が防止できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-12-16
著者
-
田中 利広
日立製作所半導体事業部
-
宮本 直樹
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
森本 忠雄
(株)日立超lsiエンジニアリング
-
田中 利広
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 利広
日立
-
足立 哲生
日立製作所中央研究所
-
加藤 正高
日立製作所中央研究所
-
牛山 雅弘
日立製作所中央研究所
-
久礼 得男
日立製作所中央研究所
-
森本 忠雄
日立超LSIエンジニアリング
-
久米 均
日立製作所中央研究所
-
加藤 正高
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
-
足立 哲生
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
-
牛山 雅弘
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
関連論文
- 140mm^2 0.4μm 64Mb AND型フラッシュメモリ
- ファイル用途AND型フラッシュメモリのメモリ動作方式の検討
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
- 10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
- 1)a-Si用金属-シリコン透明電極とその1次元センサへの応用(テレビジョン電子装置研究会(第129回))
- a-Si用金属-シリコン透明電極とその一次元センサへの応用
- 4) a-Siダイオードを使った密着方式1次元センサー(テレビジョン電子装置研究会(第120回))
- a-Siダイオードを使った密着方式一次元センサ
- AND型フラッシュメモリの動向
- 3V単一電源フラッシュメモリのビット毎制御書換え方式の検討
- フラッシュメモリ信頼性におけるフローティングゲート形状の影響
- 3V単一電源フラシュメモリのワードデコーダ回路方式の検討
- 3V単一電源フラッシュメモリの書込みパルス幅べき乗比印加方式の検討
- 3V単一電源64Mビットフラッシュメモリ用AND型セル
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- ビット線分離型メモリ階層方式とドミノ型タグ比較器を用いた1V 100MHz 10mWオンチップキャッシュ
- 0.4μm^2自己整合AND型フラッシュメモリセル技術(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- 低電圧DRAM用相補型ゲインセル技術
- 2.5V電源フラッシュメモリにおける高精度基準電圧発生回路
- ビット線クランプ方式によるフラッシュメモリ高速読出し動作の検討
- フラッシュメモリにおける高効率高電圧並びに高精度基準電圧発生回路
- フラッシュメモリにおけるウェルデコード消去方式の検討
- フラッシュメモリにおける可変ワード線電圧を用いた高信頼化書込み技術
- 1.8V動作AND型512Mbフラッシュメモリの回路設計 (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- フラッシュメモリー技術