ビット線分離型メモリ階層方式とドミノ型タグ比較器を用いた1V 100MHz 10mWオンチップキャッシュ
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概要
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電源電圧1Vで100MHz動作する16-KB(L2)2-KB(L1)4ウェイ・セット・アソシアティブキャッシュを0.25μm CMOSプロセスを用いて開発した. 低電圧で100MHz高速動作させるために, ビット線分離型メモリ階層方式を開発し,ーつのメモリセルアレイで周辺回路を共通化してキャッシュの階層化を実現した. この技術により実効レイテンシを38%短縮し, 消費電力を23%低減した. また, 多ビット化するアドレスのタグ比較の低電力化のためにドミノ型タグ比較器を開発し, タグアレイの実効的な消費電力を30%低減した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-23
著者
-
石田 浩
セイコーエプソン株式会社ビジネスシステム事業部
-
水野 弘之
株式会社日立製作所中央研究所
-
久礼 得男
日立製作所中央研究所
-
石田 浩
日立超lsiエンジニアリング株式会社
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
ルネサス テクノロジ
-
長田 健一
日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
日立製作所中央研究所
-
水野 弘之
日立製作所中央研究所
-
松崎 望
日立製作所中央研究所
-
新保 利信
日立超LSIエンジニアリング
-
大木 長斗司
日立超LSIエンジニアリング
-
大木 長斗司
日立超lsiエンジニアリング株式会社
-
松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
-
水野 弘之
日立製作所 中央研究所
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