微細ポリシリコンパターン上に形成されたチタンシリサイド膜の解析
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概要
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ディープサブミクロン領域における微細なチタンシリサイド膜を結晶構造解析(マイクロ蛍光・X線回折分析)と電気的特性の両面から調べた。チタンシリサイド層は線幅0.5μm以上ではダイシリサイド(C49,C54)とモノシリサイドの混晶であり、シート抵抗はダイシリサイド(C54)のみの値よりも高くなる。線幅0.5μm以下でシート抵抗が上昇するのは、シリサイド層中のダイシリサイド(C54)の割合が減少するためである。チタンシリサイドの膜厚を厚くすると、線幅の長い領域だけでなくディープサプミクロン領域においてもシート抵抗を低くできる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-26
著者
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松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
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松崎 望
日立製作所中央研究所
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長野 隆洋
(株)日立製作所中央研究所
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長野 隆洋
日立製作所中央研究所
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山本 直樹
高知工科大学 総合研究所
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山本 直樹
日立製作所中央研究所
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松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
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矢幡 秀治
日立製作所中央研究所
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