薄膜アモルファスSiスルーチャネルドーピングを用いた0.25μm埋込チャネル型PMOSFET
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概要
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埋込チャネル型pMOSFETのチャネル部浅接合化プロセスとして、ゲート酸化膜上に形成した薄膜のアモルフアスシリコン膜をスルーにチャネルのイオン注入を行なった。その結果、ゲート酸化膜形成前にチャネルイオン注入を行なうプロセスより、(1)しきい値電圧の制御性に優れる(面内分布のバラツキが半減できる)、(2)短チャネル効果の抑制に効果がある(最小チャネル長で0.06μm縮小可能)、(3)ゲート酸化膜の信頼性に優れる(TDDB特性が1桁向上)ことが確認できた。これは、ゲート酸化膜形成工程で生じていたボロンの再分布を抑制した効果である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-25
著者
-
清水 昭博
日立超LSIシステムズ
-
石田 浩
日立超lsiエンジニアリング株式会社
-
大木 長斗司
日立超LSIエンジニアリング
-
長野 隆洋
(株)日立製作所中央研究所
-
長野 隆洋
日立製作所中央研究所
-
山中 俊明
日立製作所中央研究所
-
山中 俊明
(株)日立製作所中央研究所
-
山中 俊明
日立 中研
-
大木 長斗司
日立超lsiエンジニアリング株式会社
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