超微細CMOSFET設計における高温RTAのインパクト
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概要
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超微細CMOSFET設計における高温RTA(1000℃以上)適用の効果を調べた。高温RTA処理を各種不純物のイオン打ち込み直後に行うことにより,低温アニールで生じていたそれら不純物の増速拡散,及び相互拡散を大きく低減できる。前者により,MOSFETの短チャネル効果抑制,電流駆動能力向上,そしてHC耐圧向上を同時に実現できる。その上後者により,逆短チャネル効果消失,短チャネル効果抑制をも実現させることができ,これもMOSFET性能を向上させる。これらは,高温RTAがより精密な不純物制御のできることを示している。今後の超微細CMOS設計に,高温RTAは重要な位置を占めるものとなろう。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-06-23
著者
-
石田 浩
セイコーエプソン株式会社ビジネスシステム事業部
-
清水 昭博
日立超LSIシステムズ
-
石田 浩
日立超lsiエンジニアリング株式会社
-
大木 長斗司
日立超LSIエンジニアリング
-
山中 俊明
日立製作所中央研究所
-
小池 淳義
日立製作所
-
山中 俊明
(株)日立製作所中央研究所
-
菊島 健一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
久保田 勝彦
(株)日立製作所半導体事業部
-
菊島 健一
日立製作所デバイス開発センタ
-
奥山 幸祐
日立製作所半導体事業部プロセス開発部
-
久保田 勝彦
日立製作所半導体事業部プロセス開発部
-
山中 俊明
日立 中研
-
久保田 勝彦
日立
-
小池 淳義
(株)日立製作所
-
奥山 幸祐
(株)日立製作所半導体グループ
-
大木 長斗司
日立超lsiエンジニアリング株式会社
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