ディープサブミクロンCMOSFET設計における高温RTAのインパクト(<小特集>ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
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概要
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微細CMOSFET設計における高温RTA適用の効果を調べた.高温RTA処理を各種不純物のイオン打込み直後に行うことにより,低温アニールで生じていたそれら不純物の増速拡散,および相互拡散を大きく低減できる.増速拡散低減により,MOSFETの短チャネル効果抑制,電流駆動能力向上,HC耐圧向上と共に特性安定性向上を同時に実現できる. その上相互拡散抑制により,逆短チャネル効果消失,短チャネル効果のより一層の改善を実現でき,これもMOSFET,性能を向上させる.これらは,高温RTAがより精密な不純物制御のできることを示している. 今後の超微細CMOSプロセス設計にとって高温RTAは重要な位置を占めるものとなろう.また,高温RTAは点欠陥の影響を除去できるため,超微細nMOSFETで逆短チャネル効果と短チャネル効果増長の同時に生じていることを矛盾無く説明できるモデルを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-25
著者
-
石田 浩
セイコーエプソン株式会社ビジネスシステム事業部
-
清水 昭博
日立超LSIシステムズ
-
石田 浩
日立超lsiエンジニアリング株式会社
-
大木 長斗司
日立超LSIエンジニアリング
-
小池 淳義
日立製作所
-
山中 俊明
(株)日立製作所中央研究所
-
菊島 健一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
奥山 幸祐
(株)日立製作所半導体事業部
-
久保田 勝彦
(株)日立製作所半導体事業部
-
小池 淳義
(株)日立製作所半導体事業部
-
山中 俊明
日立 中研
-
久保田 勝彦
日立
-
久保田 勝彦
(株)日立製作所半導体事業本部半導体技術開発本部
-
小池 淳義
(株)日立製作所
-
奥山 幸祐
(株)日立製作所半導体グループ
-
大木 長斗司
日立超lsiエンジニアリング株式会社
-
久保田 勝彦
(株)日立製作所 半導体事業本部 半導体技術開発本部
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