オフセット電圧に影響されないセンスアンプを搭載した6ns 4Mb CMOS SRAM
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概要
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0.25-μm CMOS技術による3.84μm2のTFT負荷型メモリセルを用いた4-Mb CMOSSRAMを試作した。オフセット電圧に影響されないセンスアンプとメモリセルのアレーの電源を昇圧するアレー電源昇圧方式により、2.7Vで6nsのアクセス時間を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-12-16
著者
-
西田 高
日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
ルネサス テクノロジ
-
石橋 孝一郎
日立製作所中央研究所
-
橋本 直孝
日立製作所半導体事業部
-
長野 隆洋
(株)日立製作所中央研究所
-
小宮路 邦広
日立製作所中央研究所
-
高杉 恒一
日立製作所中央研究所
-
深見 彰
日立製作所中央研究所
-
長野 隆洋
日立製作所中央研究所
-
山中 俊明
日立製作所中央研究所
-
豊嶋 博
日立超エルエスアイエンジニアリング
-
大木 長斗司
日立超エルエスアイエンジニアリング
-
西田 高
日立製作所半導体事業部生産統括本部生産技術部
-
山中 俊明
(株)日立製作所中央研究所
-
山中 俊明
日立 中研
-
大木 長斗司
日立超lsiエンジニアリング株式会社
-
豊嶋 博
(株)日立超LSIエンジニアリング
-
小宮路 邦広
(株)日立製作所、半導体事業部
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