低電圧動作に適したベースバイアス型BiNMOS回路の検討

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概要

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• MOSを低電圧化しても高速に動作するBiCMOS回路として,ベースバイアス型BiNMOS回路を提案し,回路性能を検討した。ベースバイアス型BiNMOS回路では,MOSに印加される電圧が電源電圧よりも0.5〜0.7V低い。そのため,その分電源電圧を高くしたり,低電圧でも電流の大きいMOSを使うなどして高速化が可能である。0.4μm BiCMOSプロセスでベースバイアス型BiNMOS回路,従来BiNMOS回路,CMOS回路を試作して比較検討した。その結果,ベースバイアス型BiNMOS回路はMOSに印加される電圧が2V以下になってもCMOS回路よりも1.5倍以上高速に動作することを実証できた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1993-06-24

著者

• 長野 隆洋

  日立製作所中央研究所

• 渡辺 篤雄

  日立製作所デバイス開発センタ

• 南 正隆

  日立製作所中央研究所

• 南 正隆

  (株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ

• 長野 隆洋

  (株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ

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