リンドープポリSiエミッタを用いた超高速Siバイポーラトランジスタ

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
超高速Siバイポーラトランジスタを以下の技術により開発した。(1)エミッタをIn-SituリンドープポリSiからの固相拡散(IDP)で形成し、プロセスの低温化を図った。(2)薄層かつ低抵抗のベースを気相拡散(RVD)で形成した。(3)貼り合わせSOI基板上の形成した自己整合型バイポーラトランジスタによって低寄生容量化を図った。その結果、ECLゲート遅延時間15psの高性能を実現することができた。更に、ベースを低加速エネルギーイオン打ち込みで形成したトランジスタで最大遮断周波数74GHzを得た。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-01-19

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク