プロセス/デバイスシミュレータによる高速バイポーラトランジスタの性能予測
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概要
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高速バイポーラトランジスタの設計効率化を目的として,0.5μmデバイスをベンチマークに用いたプロセス, デバイスシミュレーション技術の開発を行った。シミュレーション技術を高速バイポーラトランジスタに適用するために,プロセスシミュレータにおける不純物分布予測の高精度化とデバイスシミュレータにおけるポリシリコンエミッタのモデル化を検討した.不純物分布予測の高精度化では欠陥による不純物拡散の増速効果を評価し,ポリシリコンエミッタのモデル化では界面酸化膜の新モデルを提案した.その結果,電流増幅率h_FE>と遮断周波数f_Tのシミュレーション結果は実測値と誤差10%以内で一致した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-14
著者
-
玉置 洋一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
松尾 仁司
日立製作所中央研究所
-
玉置 洋一
日立製作所 デバイス開発センタ
-
増田 弘生
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
佐藤 久子
日立製作所デバイス開発センタ
-
増田 弘生
日立製作所デバイス開発センタ
-
井原 茂男
日立製作所中央研究所
-
丸山 貴志子
日立製作所
-
鳥谷部 達
東洋大学工学大学院工学研究科情報システム専攻
-
井原 茂男
(株)日立製作所中央研究所
-
鳥谷部 達
東洋大学工学部情報工学科
-
丸山 貴志子
株式会社日立製作所中央研究所
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