高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(1)
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概要
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多結晶シリコン抵抗は単結晶シリコン抵抗に比べ寄生容量が少なく、更に基板バイアス効果・α線に対する耐性が強い等の特長を持つ。しかし、多結晶シリコンには粒界が存在するため、単結晶シリコンに比べ複雑な温度依存性を有する。我々は高精度な微細多結晶シリコン抵抗を実現するために、多結晶シリコン抵抗の温度依存性の検討を行い、大粒径層と小粒径田の二層多結晶シリコン膜が温度特性の改善に有効であることを明かにしたので、その検討結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
玉置 洋一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
芝 健夫
(株)日立製作所中央研究所
-
菊池 俊之
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
島本 裕巳
日立デバイス
-
島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
-
菊池 俊之
(株)日立国際電気
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