C-11-1 リングエミッタトランジスタTEGを用いた自己整合構造SiGe HBTのベース抵抗評価(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-08
著者
-
三浦 真
日立製作所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
-
島本 裕巳
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
-
三浦 真
(株)日立製作所 中央研究所
-
島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
-
児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
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