自己整合金属/IDP技術による超高速バイポーラトランジスタの試作と評価(1)
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概要
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通信情報量の増加に伴い、情報通信速度はますます高速化している。このような高速通信システムにバイポーラトランジスタを用いるには、ベース抵抗や寄生容量を低減し、遮断周波数を向上させ良好な高周波特性を得る必要がある。しかし、従来は遮断周波数を増加させると、ベース抵抗とコレクタ容量が増加していた。我々は、自己整合金属/IDP技術(SMI: Self-aligned metal/in-situ doped poly-Si)[1]を用いこれらの特性の改善を行った。今回、SMI技術を用い自己整合埋込み金属ベーストランジスタを試作し、良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
大植 栄司
日立
-
大植 栄司
(株)日立製作所中央研究所
-
田辺 正倫
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
尾内 享裕
日立 中研
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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