12-ps ECL 自己整合金属/IDP Siバイポーラ技術
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概要
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Siバイポーラトランジスタの高速化には、寄生容量とベース抵抗を同時に低減し、遮断周波数のみならず最大発振周波数の向上が必要である。我々が既に提案した自己整合金属/IDP技術(SMI:Self-aligned metal/in-situ doped poly-Si)を用いたトランジスタでは、タングステン/poly-Si積層膜をベース電極とすることで良好な高速性能を得た。今回、本SMI技術の有効性を検証するとともに超高速動作を達成したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
大植 栄司
日立
-
大植 栄司
(株)日立製作所中央研究所
-
田邊 正倫
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
尾内 享裕
日立 中研
-
田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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