SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
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概要
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43 Gb/s MUX ICモジュール向けの高速かつ低ジッタ特性を有する出力回路を設計し、試作評価を行った。伝送信号の品質を決めるジッタのうち回路構成で決まる確定的ジッタを低減するため、出力回路におけるリンギング現象の解析を行った。解析を基に出力回路中の差動増幅回路のエミッタ抵抗の最適値を求める手法を導き、低ジッタと短い立上り/立下がり(Tr/Tf)時間の両立を図った。0.18μm SiGe HBTプロセスを用いて16:1 MUX ICを試作し、モジュール実装後の出力波形を評価した結果,Tr/Tf = 11 ps /11 ps、ジッタ = 1.3 psの良好な波形が得られ、提案手法が十分な精度で適用できることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-11
著者
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
-
原田 卓
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
-
白水 信弘
(株)日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
白水 信弘
株式会社日立製作所中央研究所
-
増田 徹
株式会社日立製作所中央研究所
-
大畠 賢一
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
渡邊 圭紀
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
渡邊 圭紀
(株)目立製作所デバイス開発センタ
-
原田 卓
(株)目立製作所デバイス開発センタ
-
菊地 広
(株)目立製作所デバイス開発センタ
-
菊地 広
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
-
増田 徹
株式会社日立製作所 中央研究所
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