低電圧用途向けベースブースト方式BiCMOS回路

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概要

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• 従来のBiCMOS回路では出力信号の振幅がVBE(バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧)の分だけ減少するため、低電圧化すると遅延時間が急増するという問題があり、携帯情報機器のような低電圧用途で使用することは難しかった。この問題を解決する回路としてTS-FS-BiCMOS(Transiently Saturated Full-swing BiCMOS)が既に提案されているが、本回路では高性能のpnpバイポーラトランジスタが必要であり、製造コストが高いという欠点があった。本報告では、pnpトランジスタを使わずに低電圧動作が可能なベースブースト方式BiCMOS回路について述べる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-09-05

著者

• 本間 紀之

  法政大学

• 南部 博昭

  日立中央研究所

• 南部 博昭

  日立製作所中央研究所

• 大畠 賢一

  日立デバイス

• 増田 徹

  日立中央研究所

• 大畠 賢一

  (株)ルネサス北日本セミコンダクタ

• 金谷 一男

  日立中央研究所

• 楠 武志

  日立デバイスエンジニアリング

• 金谷 一男

  日立製作所中央研究所

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