ダミーメモリセルを用いた超高速SRAM用書き込みパルス発生回路
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高速化に好適なECL周辺回路と高集積化に好適なCMOSメモリセルを組み合わせたECL-CMOS SRAM技術が提案され、アクセス時間1ns以下の超高速SRAMが実現されている。筆者らは、ECL-CMOS SRAMの書き込みパルス幅短縮を目的にダミーセルを用いた書き込みパルス発生回路を提案し、従来方式との比較検討を行なったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
山口 邦彦
日立超lsiシステムズ
-
本間 紀之
法政大学
-
南部 博昭
日立中央研究所
-
南部 博昭
日立製作所中央研究所
-
大畠 賢一
日立デバイス
-
大畠 賢一
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
金谷 一男
日立中央研究所
-
楠 武志
日立デバイスエンジニアリング
-
金谷 一男
日立製作所中央研究所
-
山口 邦彦
日立デバイス開発センタ
-
岩本 恵津子
日立デバイス開発センタ
関連論文
- 35.8GB/sの内部メモリバンド幅をもつ16MBキャッシュDRAM LSI
- ラッチ型ゲートによる計算機演算回路のパイプライン・ピッチの短縮化の検討
- アクセス時間1.5nsの60ps 11k論理ゲート付256kb BiCMOS SRAM
- 10Gb/s短距離光伝送システム用高感度・広ダイナミックレンジSiバイポーラプリアンプIC
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 10Gbit/s光受信器用Si前置増幅器の周波数特性の平坦化の検討
- タイミング自動調整回路を用い構成展開可能な超高速SRAMマクロ
- タイミング自動調整回路を用い構成展開可能な超高速SRAMマクロ
- タイミング自動調整回路を用い構成展開可能な超高速SRAMマクロ
- B-10-96 InP及びSiGe HBT-ICを用いた40Gbit/s光受信器の試作
- C-12-36 SiGe HBTを用いた43Gb/s 16:1MUX用低ジッタ出力回路の設計(C-12.集積回路C(アナログ))
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16 : 1MUXICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- C-10-15 SiGe HBTを用いた50Gb/s 4:1 MUX. 48Gb/s 1:4 DEMUX ICとICモジュールの開発
- 超高速自己整合構造SiGe HBTと光伝送用ICへの応用
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 保護導体を用いた伝送線の改良
- 充放電電流を補償した高速エミッタホロワの評価
- IGAを使用した高速論理回路の検討
- 保護導体を用いた伝送線の検討
- 保護導体を用いた伝送線による高速クロック給電方式
- 多軸異方性磁性薄膜における磁壁伝播 : 磁性
- SiGeHBT/CMOSを用いた5.8GHzETC用シングルチップトランシーバIC
- C-12-39 SiGe HBT/CMOSを用いたETC用5.8GHzワンチップトランシーバIC
- C-12-10 PLL用ディジタル制御発振器
- C-12-38 PLL(Phase-Locked-Loop)用ディジタル制御発振器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-36 4トランジスタセルを用いた擬似SRAMの検討(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
- C-12-39 4トランジスタセルを用いた擬似SRAMの検討(C-12.集積回路D(メモリ))
- C-12-26 4トランジスタセルを用いた擬似SRAMの検討
- C-12-13 ラッチ型ダイナミックCMOS論理回路による4ビット桁上げ先見加算回路の性能評価
- SCL回路を用いたメモリ用デコーダ回路の検討
- 超高速SRAM回路技術 : 「A 1.8ns Access, 550MHz 4.5Mb CMOS SRAM」「Synonym Hit RAM: A 500MHz 1.5ns CMOS SRAM Macro with 576b Parallel Comparison and Parity Check Functions」
- 超高速SRAM回路技術 : 「A 1.8ns Access, 550MHz 4.5Mb CMOS SRAM」「Synonym Hit RAM: A 500MHz 1.5ns CMOS SRAM Macro with 576b Parallel Comparison and Parity Check Functions」
- 超高速SRAM用ワード線放電回路の提案
- 超高速ECL-CMOS SRAMのビット線負荷の配置に関する検討
- 低電圧用途向けベースブースト方式BiCMOS回路
- ダミーメモリセルを用いた超高速SRAM用書き込みパルス発生回路
- バイポ-ラRAMにおけるタイミングスキュ-の影響に関する検討
- バイポ-ラRAMのワ-ド線放電回路の検討
- SC-7-2 超高速SiGe HBT技術と40Gb/s光伝送用ICへの応用
- C-12-33 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用アナログIC
- 高速メモリ技術の動向 (最近の高速メモリ技術)
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送システム用ICモジュールの開発
- C-12-32 SiGeHBTを用いた40Gb/s光伝送システム用AGCアンプ
- C-12-23 ベース接地トランジスタ入力型プリアンプの高精度設計の検討
- C-12-34 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送システム用1:4DEMUX IC
- トランスインピーダンス形回路を用いた超高速SRAM用センス回路の提案
- エミッタフォロワ回路における配線寄生素子の高周波特性への影響
- SRAMメモリセルの面積縮小とα線耐性の関係に関する検討
- 超高速SRAM用位相補償形センスアンプ活用化回路の検討
- ECL-CMOS SRAM用書き込み回路の検討
- 30ps-120k ゲート内蔵 0.9ns-1.15Mb ECL-CMOS SRAM
- SRAM用高速ダイナミック形マルチプレクサ