エミッタフォロワ回路における配線寄生素子の高周波特性への影響
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概要
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超高速通信用バイポーラICでは、トランジスタの高速化として、SOI基板やU溝アイソレーションの採用による寄生容量の低減を図り、回路の動作速度を向上させている。その反面、放熱量の減少のため単位トランジスタに許容される電力が低下し、駆動力を確保するのに必要な大きなバイアス電流を得るためには、複数のトランジスタを並列接続して用いなくてはならない。本報告では、エミッタフォロワ回路を例に挙げて、トランジスタの並列接続に起因する寄生素子が周波数特性に与える影響をシミュレータを用いて解析し、0.3μm Siバイポーラ技術を用いて試作したICの実測結果との比較を行った。
- 1995-09-05
著者
-
南部 博昭
日立製作所中央研究所
-
増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
大畠 賢一
日立デバイス
-
大畠 賢一
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
南部 博昭
(株)日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
日立デバイスエンジニアリング(株)
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