増田 徹 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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増田 徹
(株)日立製作所中央研究所
-
鷲尾 勝由
(株)日立製作所 中央研究所
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鷲尾 勝由
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
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白水 信弘
(株)日立製作所中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所中央研究所
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鷲尾 勝由
株式会社日立製作所中央研究所
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大畠 賢一
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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増田 徹
株式会社日立製作所中央研究所
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白水 信弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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増田 徹
株式会社日立製作所 中央研究所
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大畠 賢一
日立デバイス
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島本 裕巳
ルネサス北日本セミコンダクタ
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原田 卓
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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田邊 正倫
(株)ルネサス北日本セミコンダク
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大植 栄司
日立
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大植 栄司
(株)日立製作所中央研究所
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小田 克矢
(株)日立製作所中央研究所
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小田 克矢
日立製作所
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング
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中村 宝弘
(株)日立製作所中央研究所
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中村 宝弘
株式会社日立製作所中央研究所
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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荒川 文彦
(株)日立デバイスエンジニアリング
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島本 裕巳
日立デバイス
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速水 礼子
(株)日立製作所中央研究所
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島本 裕己
日立デバイスエンジニアリング(株)
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近藤 将夫
(株)日立製作所中央研究所
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荒川 文彦
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
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速水 礼子
日立製作所中央研究所
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菊地 広
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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荒川 文彦
日立デバイス
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中村 宝弘
株式会社日立製作所 中央研究所
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今井 一男
(株)日立製作所中央研究所
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武鎗 良治
(株)日立製作所 中央研究所
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武鎗 良治
日立製作所中央研究所
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田辺 正倫
日立デバイスエンジニアリング(株)
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今井 一男
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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大畠 賢一
(株)日立製作所中央研究所
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武鎗 良冶
日立デバイスエンジニアリング(株)
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渡邊 圭紀
(株)日立製作所
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菊地 広
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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渡邊 圭紀
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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原田 卓
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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菊地 広
(株)目立製作所デバイス開発センタ
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田邊 正倫
日立デバイスエンジニアリング株式会社武蔵野事業所
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和田 真一郎
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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和田 慎一郎
日立製作所 デバイス開発センタ
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南部 博昭
日立製作所中央研究所
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尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
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今井 一男
日立デバイス開発センタ
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橋本 尚
(株)日立製作所 マイクロデバイス事業部
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田中 弘之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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今泉 市郎
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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清田 幸弘
日立
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清田 幸弘
(株)日立製作所
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Kozhuharov Rumen
Chalmers University Of Technology
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長嶋 敏夫
(株)日立製作所, 家電研究所
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児玉 彰宏
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第二設計センタ
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
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尾内 享裕
日立 中研
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長嶋 敏夫
(株)日立製作所
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花沢 聡
(株)日立製作所
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工藤 正樹
(株)日立超LSIシステムズ
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丹場 裕子
(株)日立製作所
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武内 勇介
(株)日立製作所
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南部 博昭
(株)日立製作所中央研究所
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児玉 彰弘
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ 小平第2設計センタ
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Landen Lars
Chalmers University Of Technology
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Lowenmark Vesa
Chalmers University of Technology
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Zirath Herbert
Chalmers University of Technology
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鷲尾 勝由
日立デバイスエンジニアリング(株)
著作論文
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 10Gbit/s光受信器用Si前置増幅器の周波数特性の平坦化の検討
- C-12-36 SiGe HBTを用いた43Gb/s 16:1MUX用低ジッタ出力回路の設計(C-12.集積回路C(アナログ))
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16 : 1MUXICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- C-10-15 SiGe HBTを用いた50Gb/s 4:1 MUX. 48Gb/s 1:4 DEMUX ICとICモジュールの開発
- 超高速自己整合構造SiGe HBTと光伝送用ICへの応用
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 10Gb/s短距離光伝送用高トランスインピーダンス広ダイナミックレンジSiバイポーラ前置増幅器IC
- 超高速光伝送用20GHz 49dBΩベース接地トランジスタ入力段付加型Siバイポーラ前置増幅器の試作
- C-12-45 擬似縦積および段間結合トランスを用いた24GHz帯低電力受信ICの試作(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-1 K帯向け低電力擬似縦積型ミキサの線形性向上の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- C-12-24 誘導電流制御可変インダクタを用いた4.5 GHz VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-48 オンウェハスパイラルインダクタ等価回路モデルの検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-12-34 短距離車載レーダ向け24GHz SiGe HBT低雑音増幅器の試作(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-33 3-10 GHzフルバンドUWB無線通信用低雑音増幅器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-39 SiGe HBT/CMOSを用いたETC用5.8GHzワンチップトランシーバIC
- SC-7-2 超高速SiGe HBT技術と40Gb/s光伝送用ICへの応用
- C-12-33 SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用アナログIC
- 40Gb/s光伝送用SiGe HBT前置増幅器の試作
- C-12-23 ベース接地トランジスタ入力型プリアンプの高精度設計の検討
- エミッタフォロワ回路における配線寄生素子の高周波特性への影響
- C-2-26 GaAs pHEMT 7-28 GHz 周波数 4 逓倍回路の試作